Биполярный транзистор 2SB89

Характеристики транзистора 2SB89

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	25 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	12 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	150mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	250mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	55T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	400KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO7

Справочник

Реклама