Биполярный транзистор 2SB890

Характеристики транзистора 2SB890

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	50 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	50 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	9 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	500mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	400mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	90/200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	0
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	135 °С
Корпус транзистора	TO92

Справочник

Реклама