Биполярный транзистор 2SB893

Характеристики транзистора 2SB893

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	12 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	3A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	750mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	100/560
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	250MHz
Ёмкость коллекторного перехода	70 пФ
Предельная температура PN-перехода	140 °С
Корпус транзистора	TO92

Справочник

Реклама