Биполярный транзистор 2SB926

Характеристики транзистора 2SB926

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	30 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	2A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	750mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	100/560
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	150MHz
Ёмкость коллекторного перехода	32 пФ
Предельная температура PN-перехода	135 °С
Корпус транзистора	SOT33

Справочник

Реклама