Биполярный транзистор 2SB951A

Характеристики транзистора 2SB951A

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	80 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	60 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	8A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	45W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	2000T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	0
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO220

Справочник

Реклама