Биполярный транзистор 2SB970

Характеристики транзистора 2SB970

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	15 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	12 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	500mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	750mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	160T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	65MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	155 °С
Корпус транзистора	TO236

Справочник

Реклама