Биполярный транзистор 2SB973

Характеристики транзистора 2SB973

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	10 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	8 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	700mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	500mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	200T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	140MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	165 °С
Корпус транзистора	TO236

Справочник

Реклама