Биполярный транзистор 2SB987

Характеристики транзистора 2SB987

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	120 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	120 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	6 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	500mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	1W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	160T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	125MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	165 °С
Корпус транзистора	TO92

Справочник

Реклама