Биполярный транзистор 2SB99

Характеристики транзистора 2SB99

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	125mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	120T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	600KHz
Ёмкость коллекторного перехода	50 пФ
Предельная температура PN-перехода	75 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама