Биполярный транзистор 2SB999

Характеристики транзистора 2SB999

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	60 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	7A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	40W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	6000T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	0
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO126

Справочник

Реклама