Биполярный транзистор 2SC1000GTM

Характеристики транзистора 2SC1000GTM

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	50 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	400mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	400T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	40MHz
Ёмкость коллекторного перехода	10 пФ
Предельная температура PN-перехода	125 °С
Корпус транзистора	TO98-1

Справочник

Реклама