Биполярный транзистор 2SC1008A

Характеристики транзистора 2SC1008A

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	100 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	80 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	8 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	700mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	800mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	140T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	35MHz
Ёмкость коллекторного перехода	30 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO18

Справочник

Реклама