Биполярный транзистор 2SC1070

Характеристики транзистора 2SC1070

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	25 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	20mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	40/200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	750MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0.8 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO128

Справочник

Реклама