Биполярный транзистор 2SC1085

Характеристики транзистора 2SC1085

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	18 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	200mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	80MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	115MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	120 °С
Корпус транзистора	TO18

Справочник

Реклама