Биполярный транзистор 2SC1132

Характеристики транзистора 2SC1132

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	1200 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	500 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	6 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	2.5A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	30W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	10/25
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	1.5MHz
Ёмкость коллекторного перехода	110 пФ
Предельная температура PN-перехода	120 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама