Биполярный транзистор 2SC116

Характеристики транзистора 2SC116

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	50 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	200mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	750mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	4T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	35MHz
Ёмкость коллекторного перехода	40 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама