Биполярный транзистор 2SC1161

Характеристики транзистора 2SC1161

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	200 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	120 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	6 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	1A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	15W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	30MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	10MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	TO66

Справочник

Реклама