Биполярный транзистор 2SC1175

Характеристики транзистора 2SC1175

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	50 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	45 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	220mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	280mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	30MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	80MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO92

Справочник

Реклама