Биполярный транзистор 2SC1193

Характеристики транзистора 2SC1193

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	15 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	30mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	200mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	2GHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	120 °С
Корпус транзистора	TO51

Справочник

Реклама