Биполярный транзистор 2SC1197

Характеристики транзистора 2SC1197

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	35 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	2A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	30W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	350MHz
Ёмкость коллекторного перехода	25 пФ
Предельная температура PN-перехода	180 °С
Корпус транзистора	TO129

Справочник

Реклама