Биполярный транзистор 2SC1655A

Характеристики транзистора 2SC1655A

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	16 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	6 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	30mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50/330
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	8GHz
Ёмкость коллекторного перехода	0.5 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO51

Справочник

Реклама