Биполярный транзистор 2SC170

Характеристики транзистора 2SC170

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	110mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	60T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	120MHz
Ёмкость коллекторного перехода	8 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO18

Справочник

Реклама