Биполярный транзистор 2SC1950

Характеристики транзистора 2SC1950

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	28 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	14 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	200mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	5W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20/200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	4GHz
Ёмкость коллекторного перехода	1.5 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	U88

Справочник

Реклама