Биполярный транзистор 2SC1963

Характеристики транзистора 2SC1963

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	25 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	6 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	200mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	270mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	300T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	70MHz
Ёмкость коллекторного перехода	4.5 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	SP1

Справочник

Реклама