Биполярный транзистор 2SC1968A

Характеристики транзистора 2SC1968A

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	35 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	17 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	4 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	5A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	40W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20/180
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	400MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO128

Справочник

Реклама