Биполярный транзистор 2SC1988

Характеристики транзистора 2SC1988

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	12 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	70mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	350mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20/250
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	4.5GHz
Ёмкость коллекторного перехода	0.6 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	TO72

Справочник

Реклама