Биполярный транзистор 2SC2107-G4

Характеристики транзистора 2SC2107-G4

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	40 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	8 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	200T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	150MHz
Ёмкость коллекторного перехода	7 пФ
Предельная температура PN-перехода	125 °С
Корпус транзистора	TO236

Справочник

Реклама