Биполярный транзистор 2SC2150

Характеристики транзистора 2SC2150

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	11 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	30mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	250mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	100T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	3GHz
Ёмкость коллекторного перехода	0.7 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO92

Справочник

Реклама