Биполярный транзистор 2SC2367

Характеристики транзистора 2SC2367

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	10 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	80mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	580mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50/300
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	8GHz
Ёмкость коллекторного перехода	0.4 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	TO131

Справочник

Реклама