Биполярный транзистор 2SC2532

Характеристики транзистора 2SC2532

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	300mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	25000T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	50MHz
Ёмкость коллекторного перехода	6 пФ
Предельная температура PN-перехода	125 °С
Корпус транзистора	TO236-3

Справочник

Реклама