Биполярный транзистор 2SC2875

Характеристики транзистора 2SC2875

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	3 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	200mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	200T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	200MHz
Ёмкость коллекторного перехода	2 пФ
Предельная температура PN-перехода	125 °С
Корпус транзистора	TO131

Справочник

Реклама