Транзистор КТ315Г1

Описание транзистора КТ315Г1

Транзистор КТ315Г-1 кремниевый эпитаксиально-планарный структура n-p-n усилительный.
Предназначен для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы соответствующего типономинала.
Масса транзистора не более 0,18 г.

Цоколевка и размеры транзистора КТ315Г1

Характеристики транзистора КТ315Г1

Структура	n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	35 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	35 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100 мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	0,15 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	100-350
Обратный ток коллектора	<=0.5 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	=>250 МГц
Коэффициент шума транзистора	-

Справочник

Реклама