Биполярный транзистор 109T2

Характеристики транзистора 109T2

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	160 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	125 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	30A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	175W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20/60
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	10MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама