Биполярный транзистор 111T2

Характеристики транзистора 111T2

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	4 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	0
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	800mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	30/120
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	0
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO39

Справочник

Реклама