Биполярный транзистор 26DB080D

Характеристики транзистора 26DB080D

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	1200 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	800 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	37A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	300W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	0
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	0
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	X240

Справочник

Реклама