Биполярный транзистор 2A847

Характеристики транзистора 2A847

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	90 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	90 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	200mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	500T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	150MHz
Ёмкость коллекторного перехода	5 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO92

Справочник

Реклама