Биполярный транзистор 2C111

Характеристики транзистора 2C111

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	4 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	4 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	1 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	3mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	30mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	5MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	1MHz
Ёмкость коллекторного перехода	22 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO1

Справочник

Реклама