Биполярный транзистор 2C3637KV

Характеристики транзистора 2C3637KV

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	175 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	175 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	1A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	1W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50/150
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	150MHz
Ёмкость коллекторного перехода	10 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	LCC3

Справочник

Реклама