Биполярный транзистор 2C3960

Характеристики транзистора 2C3960

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	12 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	4 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	400mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	40/200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	1.6GHz
Ёмкость коллекторного перехода	2.5 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	LCC3

Справочник

Реклама