Биполярный транзистор 2C5109

Характеристики транзистора 2C5109

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	400mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	2.5W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	40/120
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	1.2GHz
Ёмкость коллекторного перехода	3.5 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	LCC3

Справочник

Реклама