Биполярный транзистор 2G20

Характеристики транзистора 2G20

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	10 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	10 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	42491 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	130mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	125mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50/125
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	700KHz
Ёмкость коллекторного перехода	47 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO1

Справочник

Реклама