Биполярный транзистор 2SC1316

Характеристики транзистора 2SC1316

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	750 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	2A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	23W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	4/14
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	4MHz
Ёмкость коллекторного перехода	200 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO66

Справочник

Реклама