Биполярный транзистор 2SC1710

Характеристики транзистора 2SC1710

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	15 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	10 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	130mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	1W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	80T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	3.5GHz
Ёмкость коллекторного перехода	0.8 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO128

Справочник

Реклама