Биполярный транзистор 2SC1962

Характеристики транзистора 2SC1962

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	200 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	200 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	8 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	500mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	950mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	70/350
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	22MHz
Ёмкость коллекторного перехода	24 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO220

Справочник

Реклама