Биполярный транзистор 2SC2012

Характеристики транзистора 2SC2012

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	30 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	3A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	25W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	200T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	3MHz
Ёмкость коллекторного перехода	35 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO220

Справочник

Реклама