- Главная /
- Биполярные транзисторы /
- Транзистор ГТ806В
Транзистор ГТ806В
Характеристики транзистора ГТ806В
| Структура | p-n-p |
| Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база | 120 В |
| Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер | 120 В |
| Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора | 15000 мА |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом) | 2(30) Вт |
| Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером | 10-100 |
| Обратный ток коллектора | <=15000 мкА |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером | =>10 МГц |
| Коэффициент шума транзистора | - |
Copyright © 2013-2025 RadioLibs.ru