Справочник по отечественным биполярным транзисторам

Наименование	Тип	Uкбо(и), В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), Вт	h21э	Iкбо, мкА	fгр., МГц	Кш, дБ
2Т825В	p-n-p	60	60	20000 (40000)	(160)	750-18000	<=1000	=>4	<2
ГТ313А	p-n-p	15	15	30	0,1	20-250	<=5	=>300	-
ГТ313Б	p-n-p	15	15	30	0,1	20-250	<=5	=>450	-
ГТ313В	p-n-p	15	15	30	0,1	30-170	<=5	=>350	-
ГТ328А	p-n-p	15	15	10	0,05	20-200	<=10	=>400	<=7
ГТ328Б	p-n-p	15	15	10	0,05	40-200	<=10	=>300	<=7
ГТ328В	p-n-p	15	15	10	0,05	10-70	<=10	=>300	<=7
ГТ346А	p-n-p	20	20	10	0,05	10-150	<=10	=>700	<=3
ГТ346Б	p-n-p	20	20	10	0,05	10-150	<=10	=>550	<=5.5
ГТ346В	p-n-p	20	20	10	0,05	15-150	<=10	=>550	<=6
ГТ806А	p-n-p	75	75	15000	2(30)	10-100	<=15000	=>10	-
ГТ806Б	p-n-p	100	100	15000	2(30)	10-100	<=15000	=>10	-
ГТ806В	p-n-p	120	120	15000	2(30)	10-100	<=15000	=>10	-
ГТ806Г	p-n-p	50	50	15000	2(30)	10-100	<=15000	=>10	-
ГТ806Д	p-n-p	140	140	15000	2(30)	10-100	<=15000	=>10	-
ГТ905А	p-n-p	75	75	3000(7000)	(6)	35-100	<=20000	=>60	-
ГТ905Б	p-n-p	60	60	3000(7000)	(6)	35-100	<=20000	=>60	-
ГТ906А	p-n-p	75	75	6000	(15)	30-150	<=8000	=>30	-
ГТ906АМ	p-n-p	75	75	6000	(15)	30-150	<=8000	=>30	-
КТ117А	n-база	30	30	50(1000)	0,3	0.5-0.7	<=1	0,2	-

Справочник

Реклама